得邁斯科技 FLUKE AMETEK 溫度壓力電量校正器 CA電錶

SiC單晶PVT工藝紅外線測溫解決方案



我們致力於為寬禁帶半導體材料客戶提供精準的測溫方案

PVT工藝中準確控溫的重要作用



目前實現商業化的SiC單晶生產以PVT(Physical Vapor Tra nsport)法為主， 主要是通過加熱SiC多晶粉末使其昇華， 之後在坩堝上部籽晶處結晶的方式製備SiC單晶(4H -SiC, 6H-SiC)。在PVT技術中， 多型共生缺陷是影響單晶質量的重要因素， 而準確的溫度控制是晶型控制的基礎，SiC多型和溫度的關係如下圖所示：



從SiC工藝和溫度的關係圖中可以看出，單晶的製備過程需要控制在2000度以上， 且為了準確控制晶型，溫度精度應該越高越好。但由於單晶結晶溫度很高， 且測量過程中不斷有污染物干擾測溫視場，造成PVT工藝準確測溫、控溫及保持量產工藝溫度一致性的難度極大。

高精度雙色測溫儀E1RH在PVT工藝中的應用

針對這種工況，Fluke開發了EnduranceE1RH- R59 -V -0 -0影像瞄準高精度雙色紅外線測溫儀，其在具有行業領先的系統精度的同時，集成了影像瞄準，衰減警報等針對性功能，幫助SiC單晶客戶確保測溫準確，控制量產工藝溫度的一致性。

下圖為E1RH-R59-V-0-0在碳化矽單晶生產中實際測溫效果，可以清楚的看到用E1RH有以下優點：



1. 直覺的影像瞄準幫助實現精準瞄準，降低目鏡瞄準的人為瞄準誤差，保持量產每爐之間的瞄準一致性。

2. 監控測溫視場污染程度，結合衰減警報及現場工藝控溫要求，可以在測溫精度下降時及時警報。

3. 遠距離係數配合高精度，E1RH在連接長度1000m/直徑2mm的光纖電纜條件下，測量2000°C時的測溫誤差可以控制在±12°C以內。